| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STPSC8H065DLF |
| Codice Parte EBEE | E85271107 |
| Confezione | Power-FLAT8x8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Power-FLAT8x8 SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4384 | $ 3.4384 |
| 10+ | $3.3571 | $ 33.5710 |
| 30+ | $3.3019 | $ 99.0570 |
| 100+ | $3.2482 | $ 324.8200 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics STPSC8H065DLF | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 80uA@650V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 75A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4384 | $ 3.4384 |
| 10+ | $3.3571 | $ 33.5710 |
| 30+ | $3.3019 | $ 99.0570 |
| 100+ | $3.2482 | $ 324.8200 |
