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STMicroelectronics STPSC4H065DI
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STPSC4H065DI |
| Codice Parte EBEE | E8191375 |
| Confezione | TO-220ACins |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1.75V@4A 4A TO-220ACins SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $1.5996 | $ 1.5996 |
| 10+ | $1.3438 | $ 13.4380 |
| 30+ | $1.1844 | $ 35.5320 |
| 100+ | $1.0205 | $ 102.0500 |
| 500+ | $0.9469 | $ 473.4500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics STPSC4H065DI | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 40uA@650V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.75V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 38A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
Guida all’acquisto
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