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STMicroelectronics STP18N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP18N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E8222137 |
| Confezione | TO-220-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 12A 0.33Ω@10V,6A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | ||
| Scheda Tecnica | ST STP18N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 12A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.33Ω@10V,6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.2pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 770pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $2.0247 | $ 2.0247 |
| 10+ | $1.7610 | $ 17.6100 |
| 30+ | $1.5948 | $ 47.8440 |
| 100+ | $1.4268 | $ 142.6800 |
| 500+ | $1.3510 | $ 675.5000 |
| 1000+ | $1.3166 | $ 1316.6000 |
