| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF6N65K3 |
| Codice Parte EBEE | E8165616 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 5.4A 30W 1.1Ω@10V,2.7A 4.5V@50uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6330 | $ 0.6330 |
| 10+ | $0.5064 | $ 5.0640 |
| 50+ | $0.4431 | $ 22.1550 |
| 100+ | $0.3814 | $ 38.1400 |
| 500+ | $0.3443 | $ 172.1500 |
| 1200+ | $0.3242 | $ 389.0400 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF6N65K3 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.3Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 880pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6330 | $ 0.6330 |
| 10+ | $0.5064 | $ 5.0640 |
| 50+ | $0.4431 | $ 22.1550 |
| 100+ | $0.3814 | $ 38.1400 |
| 500+ | $0.3443 | $ 172.1500 |
| 1200+ | $0.3242 | $ 389.0400 |
