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STMicroelectronics STD7N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD7N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E83288373 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 5A 0.98Ω@10V,2.5A 60W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $2.6902 | $ 26.9020 |
| 30+ | $2.4035 | $ 72.1050 |
| 100+ | $2.1106 | $ 211.0600 |
| 500+ | $1.9783 | $ 989.1500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD7N65M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.15Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 270pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 14.5pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9nC@10V |
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