| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD4LN80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8500957 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 3A 2.6Ω@10V,1A 60W 4V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD4LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 800V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 3A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.6Ω@10V,1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 60W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@100uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.3pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 122pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 3.7nC@640V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
