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STMicroelectronics STD35NF06T4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD35NF06T4 |
| Codice Parte EBEE | E8435949 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 35A 80W 0.02Ω@10V,17.5A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0145 | $ 1.0145 |
| 10+ | $0.8477 | $ 8.4770 |
| 30+ | $0.7559 | $ 22.6770 |
| 100+ | $0.6534 | $ 65.3400 |
| 500+ | $0.6075 | $ 303.7500 |
| 1000+ | $0.5876 | $ 587.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD35NF06T4 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 20mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 105pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
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