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STMicroelectronics STD12N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD12N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E8500948 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 85W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD12N65M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 85W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.1pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 535pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3944 | $ 1.3944 |
| 10+ | $1.3618 | $ 13.6180 |
| 30+ | $1.3401 | $ 40.2030 |
| 100+ | $1.3185 | $ 131.8500 |
