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STMicroelectronics STD120N4F6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD120N4F6 |
| Codice Parte EBEE | E82970013 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 80A 110W 4mΩ@10V,40A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.6474 | $ 6.4740 |
| 30+ | $0.5783 | $ 17.3490 |
| 100+ | $0.5092 | $ 50.9200 |
| 500+ | $0.4691 | $ 234.5500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD120N4F6 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 4mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 350pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.85nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 650pF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC@10V |
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