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STMicroelectronics STD11N65M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD11N65M2 |
| Codice Parte EBEE | E8500947 |
| Confezione | TO-252(DPAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 7A 670mΩ@10V,3.5A 85W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.1792 | $ 0.1792 |
| 10+ | $0.1631 | $ 1.6310 |
| 30+ | $0.1542 | $ 4.6260 |
| 100+ | $0.1440 | $ 14.4000 |
| 500+ | $0.1397 | $ 69.8500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD11N65M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 670mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 410pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
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