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STMicroelectronics STD10P6F6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD10P6F6 |
| Codice Parte EBEE | E8457501 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 10A 35W 0.16Ω@10V,5A 2V@250uA 1 Piece P-Channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8353 | $ 0.8353 |
| 10+ | $0.6715 | $ 6.7150 |
| 30+ | $0.5879 | $ 17.6370 |
| 100+ | $0.5076 | $ 50.7600 |
| 500+ | $0.4578 | $ 228.9000 |
| 1000+ | $0.4321 | $ 432.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD10P6F6 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 160mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.4nC@30V |
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