| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD10P10F6 |
| Codice Parte EBEE | E82971627 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 10A 0.18Ω@10V,5A 40W 2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3625 | $ 0.3625 |
| 10+ | $0.3536 | $ 3.5360 |
| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD10P10F6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.18Ω@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 40W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 25pF@80V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 864pF@80V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3625 | $ 0.3625 |
| 10+ | $0.3536 | $ 3.5360 |
| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
