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STMicroelectronics STD10N60M6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD10N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E83277921 |
| Confezione | DPAK(TO-252) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 6.4A 520mΩ@10V,3.2A 60W 4.75V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD10N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 6.4A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 520mΩ@10V,3.2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 60W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.88pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 338pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 8.8nC@010V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
