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STMicroelectronics SH32N65DM6AG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SH32N65DM6AG |
| Codice Parte EBEE | E85268689 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 32A 208W 89mΩ@10V,23A 3.25V@250uA MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Scheda Tecnica | ST SH32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 32A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 89mΩ@10V,23A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 208W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.3pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2211pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 47nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
