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Solid State System 2N5884
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5884 |
| Codice Parte EBEE | E85503645 |
| Confezione | TO-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 200W 35@3A,4V 25A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | Solid State System 2N5884 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 25A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 200W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 2mA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 35@3A,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 4MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | [email protected],25A | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
