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Sine Microelectronics ASM6115
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ASM6115 |
| Codice Parte EBEE | E8726247 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 35A 25mΩ@10V,18A 52.1W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4059 | $ 0.4059 |
| 10+ | $0.3154 | $ 3.1540 |
| 30+ | $0.2761 | $ 8.2830 |
| 100+ | $0.2279 | $ 22.7900 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 1000+ | $0.1932 | $ 193.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | ||
| Scheda Tecnica | Sine Microelectronics ASM6115 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 25mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 141pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.635nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4059 | $ 0.4059 |
| 10+ | $0.3154 | $ 3.1540 |
| 30+ | $0.2761 | $ 8.2830 |
| 100+ | $0.2279 | $ 22.7900 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 1000+ | $0.1932 | $ 193.2000 |
