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Shandong Jingdao Microelectronics US1M
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | US1M |
| Codice Parte EBEE | E8112545 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 1.65V@1A 75ns Independent Type 1A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0097 | $ 0.4850 |
| 500+ | $0.0076 | $ 3.8000 |
| 1500+ | $0.0064 | $ 9.6000 |
| 5000+ | $0.0057 | $ 28.5000 |
| 25000+ | $0.0052 | $ 130.0000 |
| 50000+ | $0.0048 | $ 240.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,Recupero rapido / diodi ad alta efficienza | |
| Scheda Tecnica | Shandong Jingdao Microelectronics US1M | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 5uA@1kV | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.65V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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