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SemiQ GP2T080A120H
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GP2T080A120H |
| Codice Parte EBEE | E85646621 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV 35A 188W 100mΩ@20V,20A 2.1V@10mA 1 N-channel TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.5661 | $ 20.5661 |
| 210+ | $8.2059 | $ 1723.2390 |
| 510+ | $7.9324 | $ 4045.5240 |
| 990+ | $7.7964 | $ 7718.4360 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | SemiQ GP2T080A120H | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 35A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 188W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.1V@10mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF@1000V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.377nF@1000V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 61nC@20V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.5661 | $ 20.5661 |
| 210+ | $8.2059 | $ 1723.2390 |
| 510+ | $7.9324 | $ 4045.5240 |
| 990+ | $7.7964 | $ 7718.4360 |
