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SemiQ GHXS100B065S-D3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GHXS100B065S-D3 |
| Codice Parte EBEE | E86866959 |
| Confezione | SOT-227 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 2 independent 1.65V@100A 193A SOT-227 SiC Diodes ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $92.2968 | $ 92.2968 |
| 200+ | $36.8282 | $ 7365.6400 |
| 500+ | $35.5961 | $ 17798.0500 |
| 1000+ | $34.9883 | $ 34988.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | SemiQ GHXS100B065S-D3 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 250uA@650V | |
| Tensione inversa (Vr) | 650V | |
| Configurazione del Diodo | 2 independent | |
| Tensione in avanti (Vf-If) | 1.65V@100A | |
| Corrente rettificata (Io) | 193A |
Guida all’acquisto
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| 1000+ | $34.9883 | $ 34988.3000 |
