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Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | K4FBE3D4HM-MGCJ |
| Codice Parte EBEE | E819188580 |
| Confezione | BGA-200 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | BGA-200 DRAM ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | La memoria ,La DRAM | |
| Scheda Tecnica | Samsung K4FBE3D4HM-MGCJ | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -25℃~+85℃ | |
| Tensione - Fornitura di | 1.7V~1.95V;1.06V~1.17V | |
| Dimensione della memoria | 32Gbit | |
| Formato della memoria | LPDDR4 SDRAM | |
| Aggiornare la corrente | 1mA;2.7mA;400uA | |
| Current - Fornitura | 10mA;65mA;500uA |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $67.8096 | $ 67.8096 |
| 30+ | $64.5832 | $ 1937.4960 |
