| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3D12005E2 |
| Codice Parte EBEE | E86729723 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | 1.2kV 19A TO-252-2 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.5486 | $ 8.5486 |
| 200+ | $3.4108 | $ 682.1600 |
| 500+ | $3.2975 | $ 1648.7500 |
| 1000+ | $3.2417 | $ 3241.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3D12005E2 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 44uA@650V | |
| Tensione inversa (Vr) | 1.2kV | |
| Corrente rettificata (Io) | 19A |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.5486 | $ 8.5486 |
| 200+ | $3.4108 | $ 682.1600 |
| 500+ | $3.2975 | $ 1648.7500 |
| 1000+ | $3.2417 | $ 3241.7000 |
