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onsemi TIP35B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TIP35B |
| Codice Parte EBEE | E83200826 |
| Confezione | TO-218 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 125W 10@15A,4V 25A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7966 | $ 2.7966 |
| 200+ | $1.0825 | $ 216.5000 |
| 500+ | $1.0452 | $ 522.6000 |
| 1000+ | $1.0257 | $ 1025.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | ||
| Scheda Tecnica | onsemi TIP35B | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 25A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | - | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 10@15A,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 3MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | - | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $2.7966 | $ 2.7966 |
| 200+ | $1.0825 | $ 216.5000 |
| 500+ | $1.0452 | $ 522.6000 |
| 1000+ | $1.0257 | $ 1025.7000 |
