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onsemi TIP32G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TIP32G |
| Codice Parte EBEE | E8513076 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 2W 10@3A,4V 3A PNP TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4367 | $ 0.4367 |
| 10+ | $0.4278 | $ 4.2780 |
| 30+ | $0.4208 | $ 12.6240 |
| 100+ | $0.4137 | $ 41.3700 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi TIP32G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 3A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 300uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 40V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 10@3A,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 3MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.2V@3A,375mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.4278 | $ 4.2780 |
| 30+ | $0.4208 | $ 12.6240 |
| 100+ | $0.4137 | $ 41.3700 |
