| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTMFS4C08NAT1G |
| Codice Parte EBEE | E8900287 |
| Confezione | SO-8FL |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 4.6mΩ@10V,18A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8FL MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5141 | $ 1.5141 |
| 200+ | $0.5858 | $ 117.1600 |
| 500+ | $0.5663 | $ 283.1500 |
| 1500+ | $0.5557 | $ 833.5500 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | ||
| Scheda Tecnica | onsemi NTMFS4C08NAT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 16.4A;52A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,18A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.51W;25.5W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 39pF@15V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.67nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 18.2nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5141 | $ 1.5141 |
| 200+ | $0.5858 | $ 117.1600 |
| 500+ | $0.5663 | $ 283.1500 |
| 1500+ | $0.5557 | $ 833.5500 |
