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onsemi MURA110T3G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MURA110T3G |
| Codice Parte EBEE | E823915 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 875mV@1A 30ns 2A 100V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1535 | $ 0.7675 |
| 50+ | $0.1244 | $ 6.2200 |
| 150+ | $0.1099 | $ 16.4850 |
| 500+ | $0.0920 | $ 46.0000 |
| 2500+ | $0.0832 | $ 208.0000 |
| 5000+ | $0.0789 | $ 394.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Scheda Tecnica | onsemi MURA110T3G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@100V | |
| Diode Configuration | - | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
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| 500+ | $0.0920 | $ 46.0000 |
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