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onsemi MSD42SWT1G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSD42SWT1G |
| Codice Parte EBEE | E8891779 |
| Confezione | SC-70 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 300V 150mW 25@1mA,10V 150mA NPN SC-70 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1533 | $ 0.1533 |
| 200+ | $0.0593 | $ 11.8600 |
| 500+ | $0.0573 | $ 28.6500 |
| 1000+ | $0.0562 | $ 56.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi MSD42SWT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 150mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 150mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 300V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 25@1mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@200mA,2mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $0.0593 | $ 11.8600 |
| 500+ | $0.0573 | $ 28.6500 |
| 1000+ | $0.0562 | $ 56.2000 |
