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onsemi MJD122T4G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MJD122T4G |
| Codice Parte EBEE | E812789 |
| Confezione | TO-252(DPAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 1000@4V,4A NPN 8A 1.75W TO-252-2(DPAK) Darlington Transistors ROHS |
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| 1+ | $0.5161 | $ 0.5161 |
| 10+ | $0.4144 | $ 4.1440 |
| 30+ | $0.3716 | $ 11.1480 |
| 100+ | $0.3176 | $ 31.7600 |
| 500+ | $0.2938 | $ 146.9000 |
| 1000+ | $0.2779 | $ 277.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,Darlington Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi MJD122T4G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Current - Collector(Ic) | 8A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.75W | |
| DC Current Gain | 1000 | |
| Current - Collector Cutoff | 10uA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 4V | |
| Transition frequency(fT) | 4MHz |
Guida all’acquisto
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