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onsemi FSB660A
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FSB660A |
| Codice Parte EBEE | E8891278 |
| Confezione | SOT-23-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 500mW 80@1A,2V 2A PNP SOT-23-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2102 | $ 0.2102 |
| 10+ | $0.2049 | $ 2.0490 |
| 30+ | $0.2013 | $ 6.0390 |
| 100+ | $0.1977 | $ 19.7700 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi FSB660A | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Corrente del collettore (Ic) | 2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 500mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 60V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 80@1A,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 75MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 300mV@2A,200mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.2049 | $ 2.0490 |
| 30+ | $0.2013 | $ 6.0390 |
| 100+ | $0.1977 | $ 19.7700 |
