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onsemi BD809G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BD809G |
| Codice Parte EBEE | E8906943 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 90W 15@4A,2V 10A NPN TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2490 | $ 0.2490 |
| 200+ | $0.0964 | $ 19.2800 |
| 500+ | $0.0930 | $ 46.5000 |
| 1000+ | $0.0913 | $ 91.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi BD809G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 90W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 1mA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 15@4A,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 1.5MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.1V@3A,300mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $0.0964 | $ 19.2800 |
| 500+ | $0.0930 | $ 46.5000 |
| 1000+ | $0.0913 | $ 91.3000 |
