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onsemi BD237STU
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BD237STU |
| Codice Parte EBEE | E83200750 |
| Confezione | TO-126-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 25W 40@150mA,2V 2A NPN TO-126-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi BD237STU | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 25W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 3MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 600mV@1A,100mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
