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onsemi 2SD1047P-E
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SD1047P-E |
| Codice Parte EBEE | E83201303 |
| Confezione | TO-3PB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 140V 120W 100@1A,5V 12A NPN TO-3PB Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4681 | $ 4.4681 |
| 200+ | $1.7301 | $ 346.0200 |
| 500+ | $1.6680 | $ 834.0000 |
| 1000+ | $1.6378 | $ 1637.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2SD1047P-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 12A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 120W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 140V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@1A,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 15MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 2.5V@5A,500mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $1.7301 | $ 346.0200 |
| 500+ | $1.6680 | $ 834.0000 |
| 1000+ | $1.6378 | $ 1637.8000 |
