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onsemi 2SC3143-5-TB-E
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SC3143-5-TB-E |
| Codice Parte EBEE | E83198310 |
| Confezione | CP-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 160V 200mW 60@10mA,5V 80mA NPN CP-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4559 | $ 0.4559 |
| 200+ | $0.1764 | $ 35.2800 |
| 500+ | $0.1702 | $ 85.1000 |
| 1000+ | $0.1672 | $ 167.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2SC3143-5-TB-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 80mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 200mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 160V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 60@10mA,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 150MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 700mV@30mA,3mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $0.1764 | $ 35.2800 |
| 500+ | $0.1702 | $ 85.1000 |
| 1000+ | $0.1672 | $ 167.2000 |
