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onsemi 2SB1202S-E
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SB1202S-E |
| Codice Parte EBEE | E8898344 |
| Confezione | TO-251-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 15W 140@100mA,2V 3A NPN TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2016 | $ 0.2016 |
| 200+ | $0.0781 | $ 15.6200 |
| 500+ | $0.0753 | $ 37.6500 |
| 1000+ | $0.0739 | $ 73.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2SB1202S-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 3A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 15W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 1uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 50V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 140@100mA,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 150MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 190mV@2A,100mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $0.2016 | $ 0.2016 |
| 200+ | $0.0781 | $ 15.6200 |
| 500+ | $0.0753 | $ 37.6500 |
| 1000+ | $0.0739 | $ 73.9000 |
