| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SA2169-E |
| Codice Parte EBEE | E8898342 |
| Confezione | TO-251-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 20W 200@1A,2V 10A PNP TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2402 | $ 0.2402 |
| 10+ | $0.1945 | $ 1.9450 |
| 30+ | $0.1748 | $ 5.2440 |
| 100+ | $0.1503 | $ 15.0300 |
| 500+ | $0.1394 | $ 69.7000 |
| 1000+ | $0.1328 | $ 132.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2SA2169-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 20W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 50V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 200@1A,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 200MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 180mV@5A,250mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2402 | $ 0.2402 |
| 10+ | $0.1945 | $ 1.9450 |
| 30+ | $0.1748 | $ 5.2440 |
| 100+ | $0.1503 | $ 15.0300 |
| 500+ | $0.1394 | $ 69.7000 |
| 1000+ | $0.1328 | $ 132.8000 |
