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onsemi 2SA2012-TD-E
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SA2012-TD-E |
| Codice Parte EBEE | E8898913 |
| Confezione | SOT-89-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 3.5W 200@500mA,2V 5A PNP SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3977 | $ 0.3977 |
| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1485 | $ 74.2500 |
| 1000+ | $0.1458 | $ 145.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2SA2012-TD-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 3.5W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 30V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 200@500mA,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 350MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | [email protected],125mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1485 | $ 74.2500 |
| 1000+ | $0.1458 | $ 145.8000 |
