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onsemi 2N5830
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5830 |
| Codice Parte EBEE | E83202043 |
| Confezione | TO-92-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 625mW 80@10mA,5V 200mA NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1520 | $ 0.1520 |
| 200+ | $0.0589 | $ 11.7800 |
| 500+ | $0.0568 | $ 28.4000 |
| 1000+ | $0.0558 | $ 55.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | ||
| Scheda Tecnica | onsemi 2N5830 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 200mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 625mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 50nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 100V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 80@10mA,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 250mV@50mA,5mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $0.0568 | $ 28.4000 |
| 1000+ | $0.0558 | $ 55.8000 |
