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onsemi 2N5771
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5771 |
| Codice Parte EBEE | E83201688 |
| Confezione | TO-92-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 15V 350mW 50@10mA,300mV 200mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2N5771 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 200mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 350mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 15V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 50@10mA,300mV | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 600mV@50mA,5mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
