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onsemi 2N5210
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5210 |
| Codice Parte EBEE | E83201540 |
| Confezione | TO-92 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 625mW 250@10mA,5V 50mA NPN TO-92 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0912 | $ 0.0912 |
| 200+ | $0.0353 | $ 7.0600 |
| 500+ | $0.0340 | $ 17.0000 |
| 1000+ | $0.0335 | $ 33.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | onsemi 2N5210 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 50mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 625mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 50nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 50V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 250@10mA,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 30MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 700mV@10mA,1mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $0.0912 | $ 0.0912 |
| 200+ | $0.0353 | $ 7.0600 |
| 500+ | $0.0340 | $ 17.0000 |
| 1000+ | $0.0335 | $ 33.5000 |
