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NXP Semicon BC856B/DG/B3235


Produttore
Codice Parte Mfr.
BC856B/DG/B3235
Codice Parte EBEE
E83201064
Confezione
TO-236AB
Numero Cliente
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
65V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS
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Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.0608$ 0.0608
200+$0.0236$ 4.7200
500+$0.0228$ 11.4000
1000+$0.0223$ 22.3000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Bipolare (BJT)
RoHS
Temperatura di funzionamento-
Corrente del collettore (Ic)100mA
Dissipazione di potenza (Pd)250mW
Ritaglio di taglio corrente (Icbo)15nA
Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo)65V
Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce)125@2mA,5V
Frequenza di transizione (fT)100MHz
Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib)650mV@100mA,5mA
Tipo di transistorPNP

Guida all’acquisto

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