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NTE ELECTRONICS, INC. TIP33B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TIP33B |
| Codice Parte EBEE | E86284529 |
| Confezione | TO-218 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 80W 100@3A,4V 10A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3531 | $ 4.3531 |
| 200+ | $1.7374 | $ 347.4800 |
| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics TIP33B | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 80W | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@3A,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 3MHz | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
