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NTE ELECTRONICS, INC. NTE38
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTE38 |
| Codice Parte EBEE | E86943820 |
| Confezione | TO-66 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 350V 35W 10@1A,4V 2A PNP TO-66 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics NTE38 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 35W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 5mA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 350V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 10@1A,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 20MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 2V@125mA,1A | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
