Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

NTE ELECTRONICS, INC. NTE2322


Produttore
Codice Parte Mfr.
NTE2322
Codice Parte EBEE
E86943681
Confezione
DIP-14
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
40V 650mW 100@150mA,10V 600mA PNP DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>

In Magazzino : Si Prega di Richiedere

Invia RFQ, risponderemo immediatamente.

Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$13.6717$ 13.6717
200+$5.4565$ 1091.3000
500+$5.2736$ 2636.8000
1000+$5.1829$ 5182.9000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors
Scheda TecnicaNTE Electronics NTE2322
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+125℃@(Tj)
Corrente del collettore (Ic)600mA
Dissipazione di potenza (Pd)650mW
Ritaglio di taglio corrente (Icbo)50nA
Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo)40V
Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce)100@150mA,10V
Frequenza di transizione (fT)200MHz
Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib)1.6V@30mA,300mA
Tipo di transistorPNP

Guida all’acquisto

Espandi