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NTE ELECTRONICS, INC. NTE227
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTE227 |
| Codice Parte EBEE | E86721699 |
| Confezione | TO-237 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 300V 850mW 40@10mA,10V 100mA NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7243 | $ 7.7243 |
| 200+ | $3.0832 | $ 616.6400 |
| 500+ | $2.9803 | $ 1490.1500 |
| 1000+ | $2.9280 | $ 2928.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics NTE227 | |
| RoHS | ||
| Corrente del collettore (Ic) | 100mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 850mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 300V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@10mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 200MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1V@2mA,20mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $7.7243 | $ 7.7243 |
| 200+ | $3.0832 | $ 616.6400 |
| 500+ | $2.9803 | $ 1490.1500 |
| 1000+ | $2.9280 | $ 2928.0000 |
