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NTE ELECTRONICS, INC. NTE128P
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTE128P |
| Codice Parte EBEE | E86721596 |
| Confezione | TO-237 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 850mW 100@350mA,2V 1A NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.2197 | $ 9.2197 |
| 200+ | $3.6792 | $ 735.8400 |
| 500+ | $3.5572 | $ 1778.6000 |
| 1000+ | $3.4962 | $ 3496.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics NTE128P | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 850mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@350mA,2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 50MHz | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $3.5572 | $ 1778.6000 |
| 1000+ | $3.4962 | $ 3496.2000 |
