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NTE ELECTRONICS, INC. BDV65
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BDV65 |
| Codice Parte EBEE | E85596252 |
| Confezione | TO-218 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 125W 1000@5A,4V 12A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9704 | $ 6.9704 |
| 200+ | $2.7813 | $ 556.2600 |
| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics BDV65 | |
| RoHS | ||
| Corrente del collettore (Ic) | 12A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 60V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 1000@5A,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 60MHz | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
