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NTE ELECTRONICS, INC. 2N6730
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N6730 |
| Codice Parte EBEE | E86803492 |
| Confezione | TO-237 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 1W 80@50mA,1V 2A PNP TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7694 | $ 2.7694 |
| 200+ | $1.1050 | $ 221.0000 |
| 500+ | $1.0685 | $ 534.2500 |
| 1000+ | $1.0510 | $ 1051.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics 2N6730 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 100V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 80@50mA,1V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 500MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@10mA,250mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $2.7694 | $ 2.7694 |
| 200+ | $1.1050 | $ 221.0000 |
| 500+ | $1.0685 | $ 534.2500 |
| 1000+ | $1.0510 | $ 1051.0000 |
