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NTE ELECTRONICS, INC. 2N3584
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3584 |
| Codice Parte EBEE | E86379583 |
| Confezione | TO-66 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 250V 35W 25@1A,10V 2A NPN TO-66 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.5823 | $ 14.5823 |
| 200+ | $5.8193 | $ 1163.8600 |
| 500+ | $5.6242 | $ 2812.1000 |
| 1000+ | $5.5283 | $ 5528.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics 2N3584 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 35W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 5mA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 250V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 25@1A,10V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 750mV@125mA,1A | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $5.8193 | $ 1163.8600 |
| 500+ | $5.6242 | $ 2812.1000 |
| 1000+ | $5.5283 | $ 5528.3000 |
