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NTE ELECTRONICS, INC. 2N3019
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3019 |
| Codice Parte EBEE | E85503501 |
| Confezione | TO-39 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 800mW 100@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7394 | $ 2.7394 |
| 200+ | $1.0945 | $ 218.9000 |
| 500+ | $1.0578 | $ 528.9000 |
| 1000+ | $1.0387 | $ 1038.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics 2N3019 | |
| RoHS | ||
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 100MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $1.0945 | $ 218.9000 |
| 500+ | $1.0578 | $ 528.9000 |
| 1000+ | $1.0387 | $ 1038.7000 |
