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NTE ELECTRONICS, INC. 2N2102
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N2102 |
| Codice Parte EBEE | E87175439 |
| Confezione | TO-39 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 65V 1W 40@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4402 | $ 3.4402 |
| 200+ | $1.3733 | $ 274.6600 |
| 500+ | $1.3280 | $ 664.0000 |
| 1000+ | $1.3054 | $ 1305.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics 2N2102 | |
| RoHS | ||
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 2nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 65V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@15mA,150mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $1.3280 | $ 664.0000 |
| 1000+ | $1.3054 | $ 1305.4000 |
