| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PMD2001D,115 |
| Codice Parte EBEE | E8179420 |
| Confezione | SOT-457 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 320mW 100@1mA,5V 600mA NPN+PNP SOT-457 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1881 | $ 0.9405 |
| 50+ | $0.1483 | $ 7.4150 |
| 150+ | $0.1313 | $ 19.6950 |
| 500+ | $0.1100 | $ 55.0000 |
| 3000+ | $0.1005 | $ 301.5000 |
| 6000+ | $0.0948 | $ 568.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Special Purpose Transistors | |
| Scheda Tecnica | Nexperia PMD2001D,115 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+150℃ | |
| Tipo del transistor | NPN+PNP | |
| Corrente del collettore (Ic) | 600mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 320mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 40V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@1mA,5V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 150mV@200mA,20mA |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1881 | $ 0.9405 |
| 50+ | $0.1483 | $ 7.4150 |
| 150+ | $0.1313 | $ 19.6950 |
| 500+ | $0.1100 | $ 55.0000 |
| 3000+ | $0.1005 | $ 301.5000 |
| 6000+ | $0.0948 | $ 568.8000 |
